晶振 鐘振 晶體振蕩器 普通晶振
Crystal Oscillators
晶振,晶體振蕩器,普通晶振
一、石英晶體諧振器:
A、主要指標
1.頻率 f
2.頻率公差
3.切型 AT BT SC
4.泛音次數(shù) 基頻 三次泛音 五次泛音 七次泛音
5.電阻 Rr RL
6.負載電容 CL
7.靜電容 Co
8.動態(tài)電容 C1
9.電容比 r =Co / C1
10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF )
11.Q值
12.DLD
13.老化
14.寄生抑制
15.頻率溫度特性（F-T）
B、有源晶振與無源晶振
石英晶片之所以能當為振蕩器使用，是基于它的壓電效應(yīng)：在晶片的兩個極上加一電場，
會使晶體產(chǎn)生機械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產(chǎn)生機械振動，同時機械
變形振動又會產(chǎn)生交變電場，雖然這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。
在電子學(xué)上，通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”（如有源音箱、有源濾波器等），
而僅由阻容元件組成的電路稱作“無源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同，無源晶振為crystal（晶體），而有源晶振則叫做oscillator（振蕩器）。無源晶振是有2個引腳的無極性元件，需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號，自身無法振蕩起來，所以“無源晶振”這個說法并不準確；有源晶振有4只引腳，是一個完整的振蕩器，其中除了石英晶體外，還有晶體管和阻容元件，因此體積較大。
二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器,普通晶振
A、晶體振蕩器是一種時間/頻率器件，由晶體諧振器和振蕩電路組成。
B、晶體振蕩器的分類:
按照其功能類型可分為四種：
SPXO 簡單封裝晶體振蕩器
VCXO 電壓控制晶體振蕩器
TCXO 溫度控制晶體振蕩器 溫度補償晶體振蕩器
OCXO 恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器
C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達到的穩(wěn)定度：
SPXO VCXO TCXO OCXO
0 to 70℃ 10 ppm 10 ppm 0.1 ppm 0.005 ppm
-20 to 70℃ 25 ppm 25 ppm 0.3 ppm 0.01 ppm
-40 to 85℃ 30 ppm 30 ppm 0.5 ppm 0.03 ppm
-55 to 125℃ 50 ppm 50 ppm 1.0 ppm N/A
工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應(yīng)用 振蕩器類型
±0.2ppm 電信傳輸設(shè)備的時鐘基準 OCXO
±0.2～±0.5ppm 電信傳輸設(shè)備的Stratum 3時鐘基準 OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
±0.5～±1.0ppm **無線電設(shè)備,E-911蜂窩定位器 帶模擬集成電路的TCXO
±1.0～±2.5ppm 移動無線電設(shè)備(例如應(yīng)急通信設(shè)備) 帶模擬集成電路的TCXO
±2.5～±10ppm 移動電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
±10～±20ppm 傳真機 TCXO,VCXO,SPXO
> ±20ppm 計算機時鐘信號源 SPXO/XO
D、晶體振蕩器主要技術(shù)指標:
1）標稱頻率
2）中心頻率偏差
3）頻率調(diào)整范圍（機械或壓控）
4）工作溫度范圍
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗）
6）輸出波形（正弦波； 方波：上升/下降沿時間、占空比、高/低電平）
7）工作電流、功耗
8）電壓變化頻率穩(wěn)定度
9）負載變化頻率穩(wěn)定度
10）溫度頻率穩(wěn)定度
11）負載能力
12）頻率老化（長期頻率穩(wěn)定度）
13）短期頻率穩(wěn)定度
14）相位噪聲
15）開機特性
E、晶體振蕩器-SPXO:
簡單封裝晶體振蕩器，沒有電壓控制和溫度補償，頻率溫度特性取決于晶體單元，
稱為SPXO（Simple Packaged Crystal Oscillator ）或時鐘（Clock）。
F、溫度補償晶體振蕩器-TCXO:
1.直接溫度補償晶體振蕩器
2.間接溫度補償晶體振蕩器
G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
近年來，由于技術(shù)的發(fā)展，OCXO多采用功率器件直接加熱的方法，只有一些指標要求很高的OCXO才使用恒溫槽。
H、OCXO主要技術(shù)指標定義的IEC標準
1）標稱頻率（Nominal frequency）
振蕩器標明的工作頻率。
2）中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
在基準點溫度環(huán)境（25 ± 2 ℃ ）和中心控制電壓時，測得的頻率值與標稱頻率的偏差。
3）頻率調(diào)諧范圍（Frequency adjustment range）
用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
注：調(diào)整的目的：
1）把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
2）由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后，能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
調(diào)整的方式：
3）調(diào)節(jié)方式有機械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
4）可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
4）工作溫度范圍 (Operating temp. range)
振蕩器能夠正常工作，其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
注：1）工作溫度范圍的下限越低，振蕩器功耗越大，同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
2）工作溫度范圍的上限越高，晶體拐點設(shè)置越高， 晶體成本上升越多。
5）壓控特性（電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗）
當控制電壓變化時，引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
注：1）電壓范圍：用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0～3.3V, 0.3～3.0V, 0～ 5V, 0.5～4.5V等。
2）壓控范圍：壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候，振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
3）極性：當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候，壓控極性為正極性，反之為負極性。
4）線性度：理想的壓控電壓和頻率變化量的關(guān)系是線性的， 但實際上總會有所偏差， 這個偏差就是
表征理想程度的壓控線性度， 通常用百分比表示。
5）如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號， 或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時， 通常振蕩器可以自己給
出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用， 這個精準的電壓就是參考電壓。
6）輸出波形（Output waveform） 正弦: 負載能力
方波: 上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平
振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。
注：常見輸出波形及輸出特性指標：
1）正弦波（Sine）：諧波抑制（Harmonic attenuation）、
雜波抑制（Noise attenuation ）、負載（Load）、輸出幅度（Output level）。
2）削峰正弦波（Clipping Sine）：負載（Load）、輸出幅度（Output level）。
3）方波（Square）：又分為MOS和TTL兩類輸出。
負載（Load）、占空比（Duty cycle）、上升/下降時間（Rise/fall time）、
高低電平（“1” and “0” level）。
7）工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
8）頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
其它條件不變時，由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。
9）負載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
其它條件不變時，由于負載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。
10）電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
其它條件不變時，由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。
11）老化率（長期頻率穩(wěn)定度）(Aging , long term stability)
振蕩器頻率與時間之間的關(guān)系。
注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的，可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。
頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負。
又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
12）短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機起伏程度。
注:以秒為單位，又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)
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